Hynix Semiconductor анонсировала 1-гигабитный модуль памяти
DDR3 второго поколения, сделанный по нормам 54-нм техпроцесса. Чип
работает при напряжении 1,5 вольта и поставляется в комплектах из 4
(H5TQ1G43TFR) и 8 модулей (H5TQ1G83TFR).
Компания уверяет, что данный продукт является наиболее
производительным среди 1 Гб модулей памяти. При этом стоит отметить,
что благодаря новому дизайну энергопотребление чипа стало на 30% ниже.
Энергоэффективные 1 Гб модули DDR3, созданные Hynix, будут востребованы
для серверов, дата-центров, суперкомпьютеров, равно как и для мобильных
устройств, для которых вопрос, касающийся длительности работы в
автономном режиме, остается принципиальным. Hynix утверждает, что
новый дизайн микросхемы будет применен и при разработке будущих
2-гигабитных модулей DDR3 памяти. Эти модули будут созданы по
нормам 40-нм техпроцесса.
|
